Àmbit de processos tecnològics

S’exploren tecnologies per optimitzar la fabricació de xips combinant recerca i formació en entorns especialitzats amb aprenentatge automàtic per al disseny de màscares difractives i hologràfiques, integració de làsers díode d’alta potència amb arquitectures que redueixen l’estrès uniaxial i processos de deposició i gravat mitjançant litografia òptica de capes fines avançades

Investigacions en curs

Caracterització basada en la teoria de la informació de perfils heterogenis d’intensitat làser

Felipe Esteban Olivares Zamora

Felipe Esteban Olivares Zamora

Investigador/a de Suport a la Recerca

Caracterització Electrònica i Estructural de Capes Primes de ZnO Dopades amb Vanadi mitjançant Espectroscòpia UPS

Maria Escolà Gallinat

Maria Escolà Gallinat

Investigador/a de Suport a la Recerca

Desenvolupament d’un sistema innovador de litografia per difracció d’àtoms

Manu Canals i Codina

Manu Canals i Codina

Investigador/a de Suport a la Recerca

Dispositius Semitransparents de Silici Amorf Hidrogenat per a Aplicacions Optoelectròniques i Fotovoltaiques Avançades

Pau Estarlich Gil

Pau Estarlich Gil

Investigador/a Predoctoral

Disseny de Màscares de Litografia per Difracció mitjançant Intel·ligència Artificial per a Processos d’R+D

Andreu Vega Casanovas

Andreu Vega Casanovas

Investigador/a de Suport a la Recerca

Disseny de Màscares de Litografia per Difracció mitjançant Intel·ligència Artificial per a Processos d’R+D

Victor Rubio Jimenez

Victor Rubio Jimenez

Investigador/a de Suport a la Recerca

Enginyeria de processos de sala blanca per a la fabricació avançada de dispositius semiconductors

Juan de Dios Castillo Machicado

Juan de Dios Castillo Machicado

Investigador/a de Suport a la Recerca

Models Teòric–Numèrics de Precisió per a l’Exploració del Rendiment Relacionat amb l’Encapsulat en Làsers de Semiconductor d’Àrea Ampla

Margarida Facão

Margarida Facão

Investigador/a de Suport a la Recerca

Optimització de la interacció química entre el substrat i la capa de ZnOMx (M = metall) en dipòsits obtinguts mitjançant deposició per capes atòmiques (Atomic Layer Deposition, ALD).

Karla Scanda Raymundo Silva

Karla Scanda Raymundo Silva

Investigador/a de Suport a la Recerca

Quantificació de la filamentació espacial en làsers de semiconductor d’àrea ampla

Oscar Ricardo Mejia Parra

Oscar Ricardo Mejia Parra

Investigador/a Predoctoral

Sala blanca

Sidecar Project

Despertar vocacions científiques i tecnològiques a les escoles i instituts

Últimes notícies

Llegiu les darreres novetats en recerca i les nostres activitats

Aquest lloc està registrat a wpml.org com a lloc de desenvolupament. Canvieu a una clau de lloc de producció a remove this banner.